申请/专利权人：淄博美林电子有限公司

申请日：2024-03-26

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN117954399B

主分类号：H01L23/10

分类号：H01L23/10;H01L23/367;H01L23/492;H01L23/48

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体的说是一种高耐温度的IGBT、SiC混合功率模块，包括散热板和锁定组件，散热板的顶面贴装有陶瓷覆板，陶瓷覆板的顶面贴装有混合功率板，陶瓷覆板的顶部贴装有与混合功率板连接的三个功率端子，通过设置推塞块的推拉方式可以实现信号端子、连接桥和连接铜板快速连接和断开，且使用铜质材料的信号端子、连接桥和连接铜板，这些材料具有较好的导热性和耐高温性能，在高耐温的情况下，推塞块和锁定组件的设计可以确保在不损坏模块的情况下进行拆卸，当推塞块被推动时，控制座会转动，使锁定块从锁定槽中脱离，从而释放连接桥和连接铜板，有利于避免在高温下进行焊接操作可能带来焊点变形或失效的问题。

主权项：1.一种高耐温度的IGBT、SiC混合功率模块，包括散热板1和锁定组件2，其特征在于：所述散热板1的顶面贴装有陶瓷覆板12，所述陶瓷覆板12的顶面贴装有混合功率板13，所述陶瓷覆板12的顶部贴装有与混合功率板13连接的三个功率端子14，且功率端子14为U型装结构，所述散热板1的顶部通过锁扣安装有外壳16，所述外壳16的一侧设置有多组信号端子15，所述外壳16的另一侧卡接有推塞块17，且推塞块17在功率端子14内侧滑动连接；所述锁定组件2设置在陶瓷覆板12上，用于控制信号端子15和陶瓷覆板12连接；所述锁定组件2包括设置在多组信号端子15底部的连接桥21，所述信号端子15呈L型状结构，所述陶瓷覆板12的左侧顶部贴装有底座22，所述底座22的右侧顶部安装有立座23，前后两个立座23之间转动连接有控制座24，所述控制座24呈V型状结构，所述立座23的顶部安装有辅助板25，所述辅助板25远离控制座24的一侧转动连接有转盘26，所述转盘26和控制座24之间设置有压缩弹簧27，所述控制座24的左侧安装有锁定块28，所述连接桥21对应锁定块28的一侧开设有锁定槽281，所述陶瓷覆板12的左侧顶部贴装有呈Z型状的连接铜板18，所述连接桥21的右侧开设有与连接铜板18相适配的槽口；当多组信号端子15和外壳16注塑呈一体之后，对外壳16拆卸时，通过推塞块17从外壳16上打开并推出外壳16之后，控制座24通过压缩弹簧27释放弹性时自动向右侧转动，这时锁定块28从锁定槽281内部脱离，从而使得连接桥21和连接铜板18脱离，这时对外壳16拆卸时，多组信号端子15和连接桥21可以从底座22上脱离，当维修好之后，可以通过推塞块17对控制座24进行推压，使得控制座24向左侧转动，并使得锁定块28通过锁定槽281内侧锁定。

全文数据：

权利要求：

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