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申请/专利权人：湖南德智新材料有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248260A
主分类号：G16C60/00
分类号：G16C60/00;C23C16/32;C23C16/52;G16C10/00;G06F18/27
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种响应面法优化沉积SiC涂层的方法。利用响应面法优化CVD沉积SiC涂层，通过设计一系列实验和统计分析，响应面法能够建立起沉积温度、沉积压力和气相前驱体流量比三种试验变量与SiC涂层结合强度之间的关系模型，并通过模型进行参数优化，可以准确预测工艺参数变化对SiC涂层结合强度的影响。相对于传统方法，响应面法能够充分考虑参数之间的相互作用，准确预测和优化工艺参数，节省时间和提高效率。
主权项：1.一种响应面法优化沉积SiC涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：1选择试验变量及优化目标选择沉积温度、沉积压力和气相前驱体流量比为试验变量，SiC涂层的结合强度为优化目标；2单因素实验确定试验变量的参数范围在CVD沉积SiC涂层的实验中，采用单因素实验分别研究沉积温度、沉积压力和气相前驱体流量比三种试验变量对SiC涂层结合强度的影响，确定三种试验变量的参数范围；3响应面优化实验基于所述步骤2中单因素实验结果，根据Box-Behnken中心组合设计原则，以SiC涂层结合强度为响应值，沉积温度、沉积压力、气相前驱体流量比为三个试验变量，设计响应面实验；4数据分析基于所述步骤3中响应面分析实验结果，利用软件进行响应面数据分析，获得二次多元回归模型方程和响应曲面图，确定制备SiC涂层结合强度的最佳条件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南德智新材料有限公司 响应面法优化沉积SiC涂层的方法
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