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申请/专利权人：广东省新兴激光等离子体技术研究院
申请日：2023-12-06
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN117535789B
主分类号：C30B25/08
分类号：C30B25/08;C30B25/14;C30B25/16;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/04;C23C16/02;C23C16/455;C23C16/511;C23C16/52
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.09#公开
摘要：本申请提供一种用于生长单晶金刚石材料的MPCVD沉积腔体及用于生长单晶金刚石材料的方法；所述MPCVD沉积腔体包括：其包括一腔体本体；在腔体本体底部中心开设有微波馈入口，在腔体本体上部设有气体注入口；在微波馈入口上方设有与其密封连接的基台；在腔体本体底部沿基台的边缘位置处设有气体排出口；基台上部设有存放单晶金刚石的凹陷部位，单晶金刚石的侧面与基台凹陷内壁贴近且其上表面与基台上部保持平齐；在工作中，向腔体本体的内部馈入微波产生氢等离子体球，在单晶金刚石表面生长金刚石膜，以及在单晶金刚石的上表面长高后调整其与基台上部保持平齐。该技术方案，实现了MPCVD沉积腔体的小型化，提升单晶金刚石生长质量和制备效率。
主权项：1.一种用于生长单晶金刚石材料的MPCVD沉积腔体，其特征在于，其包括一腔体本体；在所述腔体本体底部中心开设有微波馈入口，在所述腔体本体上部设有气体注入口；在微波馈入口上方设有与其密封连接的基台；在所述腔体本体底部沿基台的边缘位置处设有气体排出口；所述基台上部设有存放单晶金刚石的凹陷部位，所述单晶金刚石的侧面与基台凹陷内壁贴近且其上表面与基台上部保持平齐；所述基台包括：底座、屏蔽部以及移动部；其中，所述底座设于微波馈入口上方，所述移动部内嵌于屏蔽部的中心，所述屏蔽部设于底座的中部；在工作中，通过所述微波馈入口向腔体本体的内部馈入微波，作用于基台上方注入的反应气体，并在设定条件下激发产生氢等离子体球，在单晶金刚石表面生长金刚石膜，所述屏蔽部屏蔽单晶金刚石四周的电场分布，所述移动部在单晶金刚石的上表面长高后向下移动，使得单晶金刚石的上表面与屏蔽部的上表面保持平齐。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东省新兴激光等离子体技术研究院 用于生长单晶金刚石材料的MPCVD沉积腔体及其方法
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