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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2022-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249757A
主分类号：H03F1/30
分类号：H03F1/30;H03F3/45
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种宽温度工作范围的SiC基放大电路，涉及半导体集成电路领域，包括：差分共源放大电路，采用双输入端的电阻做负载的共源极放大电路结构；电压钳位电路，采用自偏置电压的共源共栅电流镜结构；负温度系数电压电流产生电路，一端连接电压钳位电路的输出端且另一端接地，用于利用电压钳位和PN结的负温度系数电压特性产生负温度特性电流；两组放大管偏置跟随电路，对称设置于差分共源放大电路的放大管的输入端，用于利用电流镜复制负温度特性电流并在等效的无温度系数电阻上产生偏置电压送给放大管的输入端；至少一组无温度系数等效电阻电路，分别设置于负温度系数电压电流产生电路和放大管偏置跟随电路内部，用于完成电荷的转移。
主权项：1.一种宽温度工作范围的SiC基放大电路，其特征在于，包括：差分共源放大电路10，采用双输入端的电阻做负载的共源极放大电路结构；电压钳位电路20，采用自偏置电压的共源共栅电流镜结构；负温度系数电压电流产生电路30，一端连接所述电压钳位电路20的输出端且另一端接地，用于利用电压钳位和PN结的负温度系数电压特性产生负温度特性电流；两组放大管偏置跟随电路40，对称设置于所述差分共源放大电路10的放大管的输入端，用于利用电流镜复制所述负温度特性电流并在等效的无温度系数电阻上产生偏置电压送给所述放大管的输入端；至少一组无温度系数等效电阻电路50，分别设置于所述负温度系数电压电流产生电路30和放大管偏置跟随电路40内部，用于完成电荷的转移。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 宽温度工作范围的SiC基放大电路
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