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申请/专利权人：美光科技公司
申请日：2021-06-08
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113782518B
主分类号：H01L23/552
分类号：H01L23/552;H01L23/16;H01L23/31;H01L21/56
优先权：["20200610 US 16/897,867"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开
摘要：本申请涉及具有使EMI屏蔽件接地的导电底部填充坝的半导体装置组件及其制造方法。提供了一种半导体装置组件。所述组件包含衬底，所述衬底包含具有多个内部接触垫和至少一个接地垫的上表面和具有多个外部接触垫的下表面。所述组件进一步包含耦合到所述多个内部接触垫的半导体裸片、耦合到所述至少一个接地垫的导电底部填充坝，以及至少安置在所述半导体裸片与所述衬底之间的底部填充材料。所述底部填充材料包含所述半导体裸片与所述底部填充坝之间的圆角。所述组件进一步包含安置在所述半导体裸片、所述圆角和所述导电底部填充坝上方的导电EMI屏蔽件。
主权项：1.一种半导体装置组件，其包括：衬底，其包含具有多个内部接触垫和至少一个接地垫的上表面和具有多个外部接触垫的下表面，其中所述多个外部接触垫经由所述衬底电耦合到所述多个内部接触垫；半导体裸片，其耦合到所述多个内部接触垫；导电底部填充坝，其耦合到所述至少一个接地垫；底部填充材料，其至少安置在所述半导体裸片与所述衬底之间，其中所述底部填充材料包含所述半导体裸片与所述导电底部填充坝之间的圆角，其中所述圆角包含从所述半导体裸片的外围延伸到所述导电底部填充坝的第一倾斜表面；以及导电EMI屏蔽件，其安置在所述半导体裸片、所述圆角和所述导电底部填充坝上方，其中所述导电EMI屏蔽件包含与所述第一倾斜表面共形的第二倾斜表面，其中所述导电底部填充坝具有在所述上表面上方的高度和从所述半导体裸片开始的横向间距两者，所述横向间距经配置以使所述圆角的所述第一倾斜表面与所述导电底部填充坝的升高部分相交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 具有使EMI屏蔽件接地的导电底部填充坝的半导体装置组件及其制造方法
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