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申请/专利权人：先进光半导体(深圳)有限公司
申请日：2023-11-06
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN221227514U
主分类号：H03K17/08
分类号：H03K17/08;H03K17/785
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权
摘要：本实用新型提供了一种大电压低泄漏电流的碳化硅光耦继电器，包括主体组件，所述主体组件包括第一金属电极、第二金属电极、导光柱、光电池传感器、两个碳化硅MOS管、透明软胶、两个发光二极管和两个接收窗口；所述第一金属电极位于所述第二金属电极的上方。本实用新型通过第一引脚、第二引脚和第三引脚的配合分别控制两个发光二极管，可以使两个发光二极管交错进行发光和关闭，以实现更高频的开关切换，使用碳化硅MOS管能承受更高的工作温度，使泄露电流低于10nA，通过在光电池传感器上设置两个接收窗口，可以实现对光信号的接收，进而对外部负载进行控制，通过利用碳化硅MOS管的特性，可以提高光耦继电器的最大负载电压达到2000VDC，以满足实际生产中的使用需求。
主权项：1.一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器，包括主体组件101，其特征在于：所述主体组件101包括第一金属电极11、第二金属电极12、导光柱13、光电池传感器14、两个碳化硅MOS管15、透明软胶16、两个发光二极管17和两个接收窗口18；所述第一金属电极11位于所述第二金属电极12的上方，两个所述发光二极管17对称安装于所述第一金属电极11的下表面，所述光电池传感器14安装于所述第二金属电极12的上表面，所述光电池传感器14的位置与所述发光二极管17的位置相对应，两个所述碳化硅MOS管15对称安装于所述第二金属电极12的上表面，所述透明软胶16固定连接于所述第一金属电极11的下表面，两个所述接收窗口18对称设置于所述光电池传感器14的上表面，所述导光柱13位于所述第一金属电极11与所述第二金属电极12之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 先进光半导体(深圳)有限公司 一种大电压低漏电流的碳化硅光耦继电器
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