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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118259537A
主分类号：G03F1/50
分类号：G03F1/50;G03F1/70
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种掩膜设计方法及其装置、存储介质和电子设备，掩膜设计方法包括：获得待处理掩膜设计；获得所述待处理掩膜设计中的重复图形群和单位图形集，其中所述重复图形群包括多个所述单位图形集，多个所述单位图形集呈阵列排布；获得所述单位图形集的拆分方案；根据所述单位图形集的拆分方案，获得所述重复图形群的拆分方案；根据所述重复图形群的拆分方案，拆分所述待处理掩膜设计，获得多个子掩膜设计。通过复制单位图形集的拆分方案，获得整个所述重复图形群的拆分方案，实现重复图形群在单个子掩膜设计中所对应图形的长程有序拆分，从而保证了规则周期图形的拆分结果有序，以提高所形成规则周期图形的质量。
主权项：1.一种掩膜设计方法，其特征在于，包括：获得待处理掩膜设计；获得所述待处理掩膜设计中的重复图形群和单位图形集，其中所述重复图形群包括多个所述单位图形集，多个所述单位图形集呈阵列排布；获得所述单位图形集的拆分方案；根据所述单位图形集的拆分方案，获得所述重复图形群的拆分方案；根据所述重复图形群的拆分方案，拆分所述待处理掩膜设计，获得多个子掩膜设计。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 掩膜设计方法及其装置、存储介质和电子设备
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