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申请/专利权人：哈尔滨工业大学;哈工大郑州研究院
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118262948A
主分类号：G21H1/06
分类号：G21H1/06;H01L31/075;H01L31/0336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：基于TiO2调制p型金刚石与n型氧化镓异质结界面的高内建电场同位素电池及其制备方法，本发明旨在解决金刚石肖特基结同位素电池无法进一步提升电池开路电压的问题。本发明高内建电场同位素电池采用垂直型结构，在p区欧姆接触电极的下表面设置有惰性金属保护层，在p区欧姆接触电极的上表面由下至上依次设置有掺硼金刚石衬底、金刚石外延本征层、超薄氧化钛层、n型氧化镓层、n区欧姆接触电极和放射性辐射源形成层叠结构。本发明利用n型宽禁带半导体材料高费米能级位置的特点与p型金刚石形成高费米能级差，从而增大内建电场，由辐射源激发的电子空穴对在更强的电场力作用下被有效分离，提高了同位素电池的开路电压。
主权项：1.基于TiO2调制p型金刚石与n型氧化镓异质结界面的高内建电场同位素电池，其特征在于该高内建电场同位素电池包括放射性辐射源1、n区欧姆接触电极2、n型氧化镓层3、超薄氧化钛层4、金刚石外延本征层5、掺硼金刚石衬底6、p区欧姆接触电极7以及惰性金属保护层8，该同位素电池采用垂直型结构，在p区欧姆接触电极7的下表面设置有惰性金属保护层8，在p区欧姆接触电极7的上表面由下至上依次设置有掺硼金刚石衬底6、金刚石外延本征层5、超薄氧化钛层4、n型氧化镓层3、n区欧姆接触电极2和放射性辐射源1形成层叠结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学;哈工大郑州研究院 基于TiO2调制p型金刚石与n型氧化镓异质结界面的高内建电场同位素电池及其制备方法
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