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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-04-18
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263116A
主分类号：H01L21/321
分类号：H01L21/321;C09G1/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请公开了一种化学机械研磨方法，包括：提供一晶圆，该晶圆的正面形成有金属互连结构，该金属互结构包括至少一层层间介电层和形成于层间介电层中的金属层，该金属层包括铜层；对晶圆的正面进行化学机械研磨，在研磨过程中使用的研磨液中包含二氧化硅、双氧水和壳寡糖。本申请通过在对铜互连结构进行化学机械研磨的过程中，使用添加双氧水和壳寡糖的研磨液进行研磨，能够提升铜和绝缘层的移除速率，改善研磨的表面形貌，从而提高了后续对该晶圆失效分析的准确度，在一定程度上提高了产品的生产效率。
主权项：1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆的正面形成有金属互连结构，所述金属互结构包括至少一层层间介电层和形成于所述层间介电层中的金属层，所述金属层包括铜层；对所述晶圆的正面进行化学机械研磨，在研磨过程中使用的研磨液中包含二氧化硅、双氧水和壳寡糖。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 化学机械研磨方法
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