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申请/专利权人：南京南瑞半导体有限公司;国网江西省电力有限公司电力科学研究院
申请日：2024-02-20
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263317A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件结构及其制备方法，用来减小元胞尺寸，特别的可以降低SiCMOSFET的导通电阻，同时改善沟槽栅氧化介质的强电场屏蔽效果。本发明能够实现对半导体器件电压阻断特性的改进，同时降低导通电阻。相比其他沟槽结构，V型沟槽的侧壁沟道迁移率更高11‑20方向；刻蚀的拐角更加平滑，迁移率影响更小；刻蚀的深度更小，刻蚀难度降低；横向尺寸可以做的更小，从而降低导通电阻；相对应的注入的深度要求可以更低，避免了在沟槽内注入；延伸进入体区的槽，虽然产生了一部分额外的沟道电阻，但是使得槽拐角位置强电场得到屏蔽，提高了栅极绝缘膜的可靠性；侧壁和槽底的体区部分共同作用，阈值电压可以做的更高，平衡刻蚀深度和元胞尺寸。
主权项：1.一种微小化的半导体器件，其特征在于，包括，衬底10，由基底11和外延层12构成，外延层12设置在基底11上；第一栅极绝缘膜20；栅电极30；电极隔离膜40；源电极50；漏电极60；其中，外延层12上背离底11的一侧设置有沟槽17，沟槽17用于安装栅电极30，栅电极30与沟槽17之间设置有第一栅极绝缘膜20，栅电极30上背离衬底10的一侧上设置有电极隔离膜40，电极隔离膜40与栅电极30之间设置有第二栅极绝缘膜21；外延层12上背离基底11的一侧设置有源电极50，基底11上背离外延层12的一侧设置有漏电极60。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京南瑞半导体有限公司;国网江西省电力有限公司电力科学研究院 一种微小化的半导体器件及其制备方法
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