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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263178A
主分类号：H01L21/683
分类号：H01L21/683;C23C16/455;C23C16/44
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种真空吸盘装置、气相生长装置及晶圆的处理方法，所述真空吸盘装置包括：基座，基座包括承载部和台阶部，承载部的上表面为晶圆承载面，用于承载晶圆；台阶部设置于承载部下方，并沿承载部的径向向外延伸以在台阶部上形成台阶面；覆盖环，覆盖环包括径向延伸环部和与径向延伸环部连接的竖向延伸环部；在工艺过程中，径向延伸环部遮挡晶圆的边缘上表面，竖向延伸环部位于台阶面上方，其中，台阶部可对覆盖环产生向下的作用力。本发明能够减小晶圆的翘曲度，提高生长的薄膜的性能。
主权项：1.一种真空吸盘装置，应用于气相生长装置的腔体内，其特征在于包括：基座，所述基座包括承载部和台阶部，所述承载部的上表面为晶圆承载面，用于承载晶圆；所述台阶部设置于所述承载部下方，并沿所述承载部的径向向外延伸以在所述台阶部上形成台阶面；覆盖环，所述覆盖环包括径向延伸环部和与所述径向延伸环部连接的竖向延伸环部；在工艺过程中，所述径向延伸环部遮挡晶圆的边缘上表面，所述竖向延伸环部位于台阶面上方，其中，所述台阶部能够对所述覆盖环产生向下的作用力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 真空吸盘装置、气相生长装置及晶圆的处理方法
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