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申请/专利权人：无锡中科德芯感知科技有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118258884A
主分类号：G01N27/92
分类号：G01N27/92;G01R31/26;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了红外焦平面晶片的检测方法、设备、装置和存储介质，红外焦平面晶片设有扩散区，扩散区与金属探针接触形成肖特基二极管，该检测方法包括：测试出肖特基二极管的击穿电压；基于击穿电压和预设的浓度电压函数关系确定扩散区的扩散浓度；其中，浓度电压函数关系为肖特基二极管的击穿电压与扩散区的扩散浓度的对应关系。本发明根据金属与半导体接触的原理，将红外焦平面晶片的扩散层与金属探针等效为一个肖特基二极管，通过标定数据来使击穿电压和扩散浓度相对应，在红外焦平面晶片扩散完成后，只需测试出击穿电压，就能检测出扩散浓度，从而通过简易、经济的检测装置和检测方法高效地实现红外焦平面晶片扩散浓度的检测。
主权项：1.一种红外焦平面晶片的检测方法，其特征在于，所述红外焦平面晶片设有扩散区，所述扩散区与金属探针接触形成肖特基二极管，所述红外焦平面晶片的检测方法包括：测试出所述肖特基二极管的击穿电压；根据所述击穿电压及预设的浓度电压函数关系确定所述扩散区的扩散浓度；其中，所述浓度电压函数关系为所述肖特基二极管的击穿电压与所述扩散区的扩散浓度的对应关系。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡中科德芯感知科技有限公司 红外焦平面晶片的检测方法、设备、装置和存储介质
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