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申请/专利权人：北京特思迪半导体设备有限公司
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118254096A
主分类号：B24B37/013
分类号：B24B37/013;G01B11/06;B24B37/005;B24B49/12;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备，所述参考光谱生成方法包括：获取光谱计算模型，所述光谱计算模型中包括表面等效层和晶圆的参数，所述表面等效层至少用于模拟晶圆薄膜表面的体相水与晶圆薄膜表面之间的物质形成的层；确定所述表面等效层、晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
主权项：1.一种用于原位测量膜厚的参考光谱生成方法，其特征在于，包括：获取光谱计算模型，所述光谱计算模型中包括表面等效层和晶圆的参数，所述表面等效层至少用于模拟晶圆薄膜表面的体相水与晶圆薄膜表面之间的物质形成的层；确定所述表面等效层、晶圆薄膜和晶圆基底的光谱参数；利用所述光谱参数和所述光谱计算模型计算不同给定所述晶圆薄膜的厚度下的参考光谱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京特思迪半导体设备有限公司 用于原位测量膜厚的方法、参考光谱生成方法及设备
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皖公网安备 34010402703815号