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申请/专利权人：斯塔西拉知识产权控股公司
申请日：2022-10-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265669A
主分类号：B81B3/00
分类号：B81B3/00;B81B7/02;H03H9/24;H03H9/125
优先权：["20211026 US 63/271,956"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：示例硅MEMS谐振器器件包括支撑结构、具有至少一个相关联的本征振动模式的谐振器元件、将谐振器元件耦合至支撑结构的至少一个锚定件、至少一个驱动电极和至少一个感测电极。谐振器元件用N型或P型掺杂物均匀掺杂到引起严密温度补偿模式的掺杂浓度，在该严密温度补偿模式中，i谐振器元件的频率的一阶温度系数的绝对值减小到低于阈值的第一值，以及ii谐振器元件的频率的二阶温度系数的绝对值减小到大约零。进一步，谐振器元件的几何形状被选择成使得频率的一阶温度系数的绝对值进一步减小到小于第一值的第二值。
主权项：1.一种硅MEMS谐振器器件，包括：支撑结构；具有至少一个相关联的本征振动模式的谐振器元件，其中所述谐振器元件用N型或P型掺杂物之一均匀掺杂，其中所述N型或P型掺杂物之一的掺杂浓度导致严密温度补偿模式，在所述严密温度补偿模式中，i所述谐振器元件的频率的一阶温度系数的绝对值减小到低于阈值的第一值，以及ii所述谐振器元件的频率的二阶温度系数的绝对值减小到大约零，并且其中所述谐振器元件的几何形状与所述掺杂浓度和掺杂物类型相组合地导致所述谐振器元件的频率的所述一阶温度系数进一步减小到小于所述第一值的第二值；将所述谐振器元件耦合至所述支撑结构的至少一个锚定件；至少一个驱动电极，用于所述谐振器元件的静电致动；以及至少一个感测电极，用于所述谐振器元件的静电感测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 斯塔西拉知识产权控股公司 用于更高阶无源温度补偿的微机电器件及其设计方法
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