龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：科磊股份有限公司
申请日：2019-09-17
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263073A
主分类号：H01J37/073
分类号：H01J37/073;H01J37/28
优先权：["20180918 US 62/732,937","20190128 US 16/259,317"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请实施例涉及一种金属囊封光电阴极电子发射器。本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴极结构在外表面上具有保护膜。所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。所述保护膜可具有从1nm到10nm的厚度。所述光电阴极结构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。
主权项：1.一种电子发射器，其包括：光电阴极结构，其包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者；衬底；保护膜，其安置于与所述衬底相对的所述光电阴极结构的外表面上，其中所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金，其中所述保护膜的厚度经配置以取决于所述电子发射器的提取器配置及用于光电子发射的波长，所述保护膜的厚度进一步经配置以基于所述电子发射器的提取器配置而改变从1mm到2mm的值；以及第二保护膜，其在所述衬底与所述光电阴极结构之间，其中所述第二保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金，其中所述保护膜具有低于所述第二保护膜的功函数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 科磊股份有限公司 金属囊封光电阴极电子发射器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号