申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-11-02

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN117453001B

主分类号：G05F1/567

分类号：G05F1/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明公开了一种高精度带隙基准源，属于模拟集成电路技术领域，包括开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器；开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器依次连接；基极电流补偿模块还与Vref产生器连接；输出驱动器还与Vref产生器连接，并形成负反馈环路。本发明具有温度系数低、避免使用运算放大器，带负载能力强且工作电压范围广的特点，具有高温下自动关断的功能，起到高温下节省功耗的作用，具有升温时电路关断阈值温度变得更高，降温时电路开启阈值温度变得更低的迟滞效果。

主权项：1.一种高精度带隙基准源，其特征在于，包括开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器；所述开关模块、PTAT电流产生和高温关断模块、基极电流补偿模块、输出驱动器、非线性补偿电流产生模块以及Vref产生器依次连接；所述基极电流补偿模块还与Vref产生器连接；所述输出驱动器还与Vref产生器连接，并形成负反馈环路；所述基极电流补偿模块包括三极管Q41-Q48和电阻R14；所述三极管Q41的发射极和三极管Q47的发射极均与输入电源电压VIN连接；所述三极管Q41的基极分别与三极管Q47的基极、三极管Q45的发射极和三极管Q46的发射极连接；所述三极管Q41的集电极分别与三极管Q45的基极和三极管Q42的集电极连接；所述三极管Q45的基极和三极管Q46的基极连接；所述三极管Q45的集电极和控制信号VB1连接，其连接点还与Vref产生器连接；所述三极管Q46的集电极分别与三极管Q43的基极、三极管Q44的基极和三极管Q44的集电极连接；所述三极管Q47的集电极分别与三极管Q48的集电极和输出驱动器连接；所述三极管Q48的基极分别与三极管Q42的基极和控制信号VB1连接；所述三极管Q43的集电极和电阻R14的一端连接；所述电阻R14的另一端和控制信号VB2连接，其连接点还与Vref产生器连接；所述三极管Q48的发射极、三极管Q42的发射极、三极管Q43的发射极和三极管Q44的发射极均接地；所述输出驱动器包括三极管Q29-Q40、三极管Q60和接地电阻R4；所述三极管Q31的发射极、三极管Q33的发射极、三极管Q35的发射极和三极管Q39的发射极均与输入电源电压VIN连接；所述三极管Q31的基极分别与三极管Q33的基极和三极管Q35的基极连接，其连接点还与PTAT电流产生和高温关断模块连接；所述三极管Q31的集电极分别与三极管Q34的基极、三极管Q32的发射极、三极管Q29的集电极和三极管Q30的集电极连接；所述三极管Q33的集电极分别与三极管Q36的基极和三极管Q34的集电极连接；所述三极管Q35的集电极分别与三极管Q36的发射极、三极管Q38的基极、三极管Q40的发射极和三极管Q37的集电极连接；所述三极管Q29的基极和控制信号V2连接；所述三极管Q30的基极和控制信号V1连接；所述三极管Q32的基极和Vref产生器连接；所述三极管Q34的发射极分别与三极管Q60的基极和三极管Q60的集电极连接；所述三极管Q40的基极和基极电流补偿模块连接；所述三极管Q37的基极分别与三极管Q40的集电极和接地电阻R4的一端连接；所述三极管Q29的发射极、三极管Q30的发射极、三极管Q60的发射极、三极管Q37的发射极、三极管Q32的集电极、三极管Q36的集电极和接地电阻R4的另一端均接地；所述三极管Q38的集电极分别与三极管Q39的集电极、非线性补偿电流产生模块和Vref产生器连接；所述三极管Q38的发射极和三极管Q39的基极连接。

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百度查询： 电子科技大学 一种高精度带隙基准源

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