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存储模块以及存储控制器的纠错方法 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2020-08-10

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN112540867B

主分类号:G06F11/10

分类号:G06F11/10;G11C29/42

优先权:["20190920 KR 10-2019-0116041"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.03.23#公开

摘要:提供一种存储模块以及存储控制器的纠错方法。所述存储模块包括:第一存储芯片,均具有第一输入输出宽度并且被配置为存储数据;第二存储芯片,具有第二输入输出宽度并且被配置为存储用于纠正所述数据中的错误的纠错码;以及驱动器电路,被配置为从存储控制器接收时钟信号、命令和地址,并向所述第一存储芯片和所述第二存储芯片发送所述时钟信号、所述命令和所述地址。每个所述第一存储芯片的地址深度不同于所述第二存储芯片的地址深度。

主权项:1.一种存储模块,包括:多个第一存储芯片,被配置为存储数据,其中,每个所述第一存储芯片具有第一输入输出宽度;第二存储芯片,被配置为存储用于纠正所述数据中的错误的纠错码,所述第二存储芯片具有第二输入输出宽度;以及驱动器电路,被配置为从存储控制器接收时钟信号、命令和地址,并向所述第一存储芯片和所述第二存储芯片发送所述时钟信号、所述命令和所述地址,其中,每个所述第一存储芯片的地址深度小于所述第二存储芯片的地址深度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 存储模块以及存储控制器的纠错方法

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