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申请/专利权人：美满芯盛(杭州)微电子有限公司
申请日：2021-07-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113493184B
主分类号：B81B1/00
分类号：B81B1/00;A61M11/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开
摘要：本发明公开了一种具有多孔热隔离结构的硅气化芯片，包括：硅衬底和电极板，电极板设置在硅衬底表面，电极板呈环形结构，电极板内侧的硅衬底上设置有环状气化通道结构，环状气化通道结构包括若干个第一条形气化通道单元，电极板一相对侧的硅衬底上设置有弧形气化通道结构，弧形气化通道结构设置在电极板外侧，弧形气化通道结构包括若干个第二条形气化通道单元，硅衬底边缘与弧形气化通道结构之间的硅衬底上设置有阵列排布的若干个热隔断孔。本发明相较于现有技术，采用硅衬底的芯片能均匀、快速、节能地对液体进行电加热气化，多孔隔热结构减少传递到非有效工作区域的热量，提升硅气化芯片的热场均匀性，并且降低功耗。
主权项：1.一种具有多孔热隔离结构的硅气化芯片，其特征在于，包括：硅衬底1和电极板2，所述电极板2设置在所述硅衬底1表面，所述电极板2呈环形结构，所述电极板2内侧的所述硅衬底1上设置有环状气化通道结构，所述环状气化通道结构包括若干个第一条形气化通道单元11，所述电极板2一相对侧的所述硅衬底1上设置有弧形气化通道结构，所述弧形气化通道结构设置在所述电极板2外侧，所述弧形气化通道结构包括若干个第二条形气化通道单元12，所述硅衬底1边缘与所述弧形气化通道结构之间的所述硅衬底1上设置有阵列排布的若干个热隔断孔3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 一种具有多孔热隔离结构的硅气化芯片
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