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申请/专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299415A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/423;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明的实施例提供了一种功率器件和功率器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件包括化合物半导体复合层、p型栅层、源极、漏极和栅电极层，p型栅层、源极和漏极均设置在化合物半导体复合层上；栅电极层设置在p型栅层上；其中，p型栅层靠近漏极一侧的侧壁包括p型栅斜坡，p型栅斜坡相对于化合物半导体复合层的表面朝向源极倾斜设置。相较于现有技术，本发明能够优化栅极角落电场分布，提升器件耐压，并优化栅极附近的场板结构，保证器件性能。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底上并产生有二维电子气的化合物半导体复合层；设置在所述化合物半导体复合层上的p型栅层130、源极140和漏极150；设置在所述p型栅层130上的栅电极层160；其中，所述p型栅层130靠近所述漏极150一侧的侧壁包括p型栅斜坡131，所述p型栅斜坡131相对于所述化合物半导体复合层的表面朝向所述源极140倾斜设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门市三安集成电路有限公司 功率器件和功率器件的制备方法
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