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申请/专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日：2022-11-24
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118302867A
主分类号：H01L33/50
分类号：H01L33/50;H01L33/00
优先权：["20211126 DE 102021131112.8"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：提出一种发射辐射的器件，具有：半导体芯片，所述半导体芯片在运行时从辐射出射面发射第一波长范围的电磁辐射；和在半导体芯片的包括辐射出射面的顶面上的转换元件，所述转换元件包含基质材料和嵌入其中的发光材料颗粒，所述发光材料颗粒将第一波长范围的电磁辐射转换为第二波长范围的电磁辐射，其中转换元件具有支承面，所述支承面等于或小于半导体芯片的顶面，并且支承面完全地与半导体芯片的顶面直接接触。还提出一种用于制造发射辐射的器件的方法。
主权项：1.一种发射辐射的器件100，具有半导体芯片10，所述半导体芯片在运行时从辐射出射面11发射第一波长范围的电磁辐射，和在所述半导体芯片10的包括所述辐射出射面11的顶面12上的转换元件20，所述转换元件包含基质材料5和嵌入其中的发光材料颗粒1，所述发光材料颗粒将所述第一波长范围的电磁辐射转换为第二波长范围的电磁辐射，其中所述转换元件20具有支承面21，所述支承面等于或小于所述半导体芯片10的顶面12，并且所述支承面21完全地与所述半导体芯片10的所述顶面12直接接触，其中所述转换元件20具有下述横截面26，该横截面从所述支承面21朝向所述转换元件20的背离所述半导体芯片10的侧渐缩，或者其中所述转换元件20具有下述横截面26，该横截面从所述转换元件20的背离所述半导体芯片10的侧朝向所述支承面21渐缩，和或其中所述转换元件20具有侧面25，所述侧面具有倒圆的角部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 发射辐射的器件和用于制造发射辐射的器件的方法
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