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封装结构及其制备方法 

申请/专利权人:长鑫科技集团股份有限公司

申请日:2024-04-03

公开(公告)日:2024-07-09

公开(公告)号:CN118315366A

主分类号:H01L23/498

分类号:H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.26#实质审查的生效;2024.07.09#公开

摘要:本公开实施例提供一种封装结构及其制备方法,封装结构包括第一封装体和第二封装体,第一封装体包括基底,基底包括半导体衬底和介质层;第一导电柱,包括第一导电部和第二导电部,第二导电部贯穿介质层,沿半导体衬底的第二表面指向第一表面的方向上,第一导电部的宽度逐渐减小,第二导电部的宽度逐渐增加,第二封装体包括第二半导体衬底和位于第二半导体衬底一侧的导电凸块,第一导电部通过焊料键合到导电凸块上。本公开实施例省略了现有制程中背面焊盘的制程工艺,将封装结构中焊盘和导电柱整合为一个整体结构,可以有效降低界面间的相互影响,提高封装结构的良率。

主权项:1.一种封装结构,其特征在于:包括:第一封装体和第二封装体;所述第一封装体包括:基底,所述基底包括半导体衬底以及介质层,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面,所述介质层位于所述第二表面上;第一导电柱,所述第一导电柱包括第一导电部和第二导电部,所述第二导电部贯穿所述介质层,并自所述半导体衬底的第二表面向所述半导体衬底的第一表面延伸,所述第一导电部位于所述第二导电部远离所述介质层的一侧;所述第一导电部和所述第二导电部具有平行于第一表面或第二表面的连接面;沿第一方向,所述第一导电部具有第一宽度,所述第二导电部具有第二宽度,沿第二表面指向第一表面的方向上,所述第二宽度逐渐增加,所述第一宽度逐渐减小,所述第一方向平行于所述第一表面或第二表面;所述第二封装体包括第二半导体衬底,以及位于所述第二半导体衬底一侧的导电凸块;其中,所述第一导电部通过焊料键合到所述导电凸块。

全文数据:

权利要求:

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