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申请/专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司

摘要：本发明涉及一种InAlGaN超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片，生长方法包括以下步骤：（1）、生长InGaN阱层，所述InGaN阱层的生长温度为600℃～700℃；（2）、在所述InGaN阱层上生长InAlGaN盖层，所述InAlGaN盖层的生长温度为600℃～700℃；（3）、在所述InAlGaN盖层上生长GaN盖层，所述GaN盖层的生长温度为600℃～700℃；（4）、在所述GaN盖层上生长n型InAlGaN垒层，所述n型InAlGaN垒层的生长温度为600℃～700℃；（5）、重复上述步骤（1）~（4）多次，形成多周期循环结构的InAlGaN超晶格结构。其能够有效改善核心层量子阱层的质量，降低阱垒层的缺陷，从而提高紫外GaN基LED的光效和可靠性。

主权项：1.一种InAlGaN超晶格结构生长方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、生长InGaN阱层，所述InGaN阱层的生长温度为600℃～700℃；（2）、在所述InGaN阱层上生长InAlGaN盖层，所述InAlGaN盖层的生长温度为600℃～700℃；（3）、在所述InAlGaN盖层上生长GaN盖层，所述GaN盖层的生长温度为600℃～700℃；（4）、在所述GaN盖层上生长n型InAlGaN垒层，所述n型InAlGaN垒层的生长温度为600℃～700℃；（5）、重复上述步骤（1）~（4）多次，形成多周期循环结构的InAlGaN超晶格结构；在所述步骤（1）中，所述InGaN阱层中In和Ga的原子摩尔比为0.001～0.1；在所述步骤（2）中，所述InAlGaN盖层中In和Ga的原子摩尔比为0.001～0.05，Al与Ga的原子摩尔比为0.001～0.05；在所述步骤（4）中，所述n型InAlGaN垒层中In和Ga的原子摩尔比为0.001～0.05，Al与Ga的原子摩尔比为0.001～0.2，n型掺杂源为硅烷，n型掺杂浓度为1E+16cm-2～1E+18cm-2；在所述步骤（1）中，所述InGaN阱层的厚度为0.5～5nm；在所述步骤（2）中，所述InAlGaN盖层的厚度为0.5～5nm；在所述步骤（3）中，所述GaN盖层的厚度为0.5～10nm；在所述步骤（4）中，所述n型InAlGaN垒层的厚度为5～20nm。

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