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申请/专利权人：华东交通大学
摘要：本发明公开了一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法，属于二维材料制备技术领域，包括以下步骤：S1、按照所述的量和比例称量层状三硫化钛晶体和金属单质颗粒，混合后作为原料，单质碘为输运剂；S2、将原料和单质碘一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，然后进行高温插层反应；S3、将反应后的产物取出，得到大尺寸插层的二维钛基晶格失配层状化合物。本发明采用上述的一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法，能够制备出大尺寸插层的二维钛基晶格失配层状化合物，方法简单、高效。
主权项：1.一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、按照物质的量的比为1：1称量层状三硫化钛晶体和金属单质颗粒，混合后作为原料，单质碘为输运剂；所述S1中，三硫化钛为层状晶体；S2、将原料和单质碘一同加入反应容器，于一定压力下真空密封，然后进行高温插层反应；所述S2中，高温插层反应温度为600-800℃，高温插层反应的时间为5-15d；S3、将反应后的产物取出，得到大尺寸插层的二维钛基晶格失配层状化合物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华东交通大学 一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法
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