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申请/专利权人：格芯新加坡私人有限公司
摘要：本公开涉及使用电极下方衬底中的电介质填充沟槽实现电隔离的结构。一种结构包括具有正面和背面的衬底。第一电极位于第一绝缘体层中并邻近衬底的正面。第一电极是再分布层RDL的一部分。第二电极位于衬底和第一电极之间。衬底中的电介质填充沟槽位于第一电极和第二电极下方，电介质填充沟槽可以完全延伸到衬底的背面。该结构提供了展现出从下电极到衬底的较小寄生电容的电隔离。
主权项：1.一种结构，包括：衬底，其具有正面和背面；第一电极，其位于第一绝缘体层中并邻近所述衬底的所述正面，所述第一电极是再分布层RDL的一部分；第二电极，其位于所述衬底和所述第一电极之间；以及电介质填充沟槽，其位于所述第一电极和所述第二电极下方的所述衬底中，所述电介质填充沟槽完全延伸到所述衬底的所述背面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯新加坡私人有限公司 使用电极下方衬底中的电介质填充沟槽实现电隔离的结构
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