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申请/专利权人：加利福尼亚大学董事会
摘要：在基板的开口区域上生长外延横向过生长ELO层，其中ELO层高于基板中的沟槽的表面。沟槽易于形成ELO层的对称形状，这使得其适用于倒装芯片接合。ELO层的形状在由ELO层形成的条的背面具有凹陷的表面区域。劈裂点位于比ELO层的底部更高的位置，使得可以有效地向劈裂点施加力以移除条。
主权项：1.一种使用沟槽移除器件的方法，包括：蚀刻基板以在所述基板的表面形成一个或多个沟槽；将生长限制掩模沉积在所述基板上或上方，包括至少部分在所述沟槽上或所述沟槽中，其中所述生长限制掩模具有通过所述沟槽分离的、暴露所述基板的表面的一个或多个开口区域；在所述生长限制掩模的开口区域处所述基板的表面上生长一个或多个III族氮化物外延横向过生长ELO层，其中所述III族氮化物ELO层具有由所述基板中的沟槽形成且在所述沟槽之间的所述III族氮化物ELO层的底部上的凹陷的分离区域；在所述III族氮化物ELO层上生长一个或多个III族氮化物半导体器件层以创造一个或多个岛状III族氮化物半导体层，在其上制造一个或多个光电器件；以及通过在所述沟槽以及所述凹陷的分离区域处劈裂来从所述基板上移除所述光电器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 加利福尼亚大学董事会 使用沟槽移除器件的方法
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