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申请/专利权人：无锡新洁能股份有限公司

摘要：本发明涉及一种沟槽功率半导体器件，在漏极金属上设有第一导电类型衬底、第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上设有第二导电类型体区与第二导电类型阱区，在第二导电类型体区内开设有第一类沟槽，在第二导电类型阱区内开设有第二类沟槽，所述第二类沟槽围绕所述第一类沟槽设置，所述第二导电类型体区的第二导电类型杂质的浓度峰值大于第二导电类型阱区的第二导电类型杂质的浓度峰值，本发明能够提高功率半导体器件的终端耐压，提高功率半导体器件的可靠性。

主权项：1.一种沟槽功率半导体器件，包括漏极金属（1）、半导体基板与第一类沟槽（4）、第一类导电多晶硅（5）、第一类栅氧化层（6）、第二导电类型体区（7）、第一导电类型源区（8）、第二类绝缘介质层（9）、第一类绝缘介质层（10）、第二导电类型阱区（11）、源极金属（12）、金属场板（13）、第二类沟槽（14）、第二类导电多晶硅（15）与第二类栅氧化层（16）；所述半导体基板设置在漏极金属（1）的上面，半导体基板被划分为元胞区（001）和终端保护区（002），元胞区（001）位于半导体基板的中心区，终端保护区（002）位于元胞区（001）的外圈且环绕元胞区（001）；所述半导体基板包括第一导电类型衬底（2）和位于第一导电类型衬底（2）上的第一导电类型外延层（3）；其特征是：在第一导电类型外延层（3）上设有第二导电类型体区（7）与第二导电类型阱区（11），第二导电类型体区（7）完全覆盖位于元胞区（001）内的第一导电类型外延层（3），第二导电类型阱区（11）完全或者部分覆盖位于终端保护区（002）内的第一导电类型外延层（3），在第二导电类型体区（7）内设有第一导电类型源区（8），在第二导电类型阱区（11）上设有第一类绝缘介质层（10）；在第一导电类型源区（8）的上表面向下开设有第一类沟槽（4），第一类沟槽（4）向下穿透第一导电类型源区（8）与第二导电类型体区（7）并最终伸入第一导电类型外延层（3）内，在第一类沟槽（4）侧壁和底壁均形成有第一类栅氧化层（6），在第一类栅氧化层（6）内设有第一类导电多晶硅（5）；在第二导电类型阱区（11）的上表面向下开设有第二类沟槽（14），第二类沟槽（14）向下穿透第二导电类型阱区（11）并最终伸入第一导电类型外延层（3）内，在第二类沟槽（14）侧壁和底壁均设有第二类栅氧化层（16），在第二类栅氧化层（16）内设有第二类导电多晶硅（15）；在第一导电类型源区（8）与第一类绝缘介质层（10）上设有第二类绝缘介质层（9），在第二类绝缘介质层（9）上设有源极金属（12）与金属场板（13），源极金属（12）不仅完全覆盖位于元胞区（001）内的第二类绝缘介质层（9）而且部分延伸到终端保护区（002）内并覆盖靠近元胞区（001）的第二类绝缘介质层（9），源极金属（12）通过通孔与第一导电类型源区（8）及第二导电类型体区（7）欧姆接触，金属场板（13）完全位于终端保护区（002）内，且金属场板（13）至少覆盖一根第二类沟槽（14），金属场板（13）连接源极电位或栅极电位；所述第二导电类型体区（7）的第二导电类型杂质的浓度峰值大于第二导电类型阱区（11）的第二导电类型杂质的浓度峰值；所述第一类沟槽（4）内的第一类导电多晶硅（5）连接栅极电位，第二类沟槽（14）内的第二类导电多晶硅（15）呈浮空设置。

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