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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种深沟槽隔离结构及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底的一表面形成有第一氧化层；在第一氧化层和部分厚度的衬底中形成第一沟槽；在第一沟槽中填充第二氧化物形成第二氧化填充层；形成第一硬掩膜层；采用第一刻蚀工艺刻蚀第一硬掩膜层、第二氧化填充层和部分厚度的衬底形成第二沟槽，第二沟槽在衬底的垂直投影落入第一沟槽在衬底的垂直投影，第一刻蚀工艺刻蚀第二氧化填充层的速度为第一刻蚀速度，第一刻蚀工艺刻蚀衬底的速度为第二刻蚀速度，且第一刻蚀速度小于第二刻蚀速度；去除第一硬掩膜层。通过本发明的工艺改善后的制作方法，可获得封口更好的深沟槽隔离结构，实现半导体结构的高质量隔离。
主权项：1.一种深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底的一表面形成有第一氧化层；在所述第一氧化层和部分厚度的所述衬底中形成第一沟槽；在所述第一沟槽中填充第二氧化物形成第二氧化填充层；形成第一硬掩膜层；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述第一硬掩膜层、所述第二氧化填充层和部分厚度的所述衬底形成第二沟槽，所述第二沟槽在所述衬底的垂直投影落入所述第一沟槽在所述衬底的垂直投影，所述第一刻蚀工艺刻蚀所述第二氧化填充层的速度为第一刻蚀速度，所述第一刻蚀工艺刻蚀所述衬底的速度为第二刻蚀速度，且所述第一刻蚀速度小于所述第二刻蚀速度；去除所述第一硬掩膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 深沟槽隔离结构及其制作方法
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