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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种沟槽隔离结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，于半导体衬底上表面形成图案化的遮蔽层，遮蔽层底部至少包括具有预设厚度的牺牲层；基于图案化的遮蔽层，于半导体衬底的上表层形成开口部，开口部的顶部转角处形成有弧形部，弧形部的端点之间的连线与半导体衬底上表面所在平面之间呈预设角度；基于开口部及遮蔽层于半导体衬底中形成凹槽，凹槽的底面与半导体衬底的底面间隔预设距离，开口部与凹槽构成沟槽，相邻两个沟槽之间的半导体衬底区域为有源区；形成填充沟槽的隔离层并去除遮蔽层。本发明的沟槽隔离结构及其制备方法有效提升了器件耐压性，避免了器件的时序相关介电击穿失效。
主权项：1.一种沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，于所述半导体衬底上表面形成图案化的遮蔽层，所述遮蔽层底部至少包括具有预设厚度的牺牲层；基于图案化的所述遮蔽层，于所述半导体衬底的上表层形成开口部，所述开口部的顶部转角处形成有弧形部，所述弧形部的端点之间的连线与所述半导体衬底上表面所在平面之间呈预设角度；基于所述开口部及所述遮蔽层于所述半导体衬底中形成凹槽，所述凹槽的底面与所述半导体衬底的底面间隔预设距离，所述开口部与所述凹槽构成沟槽，相邻两个所述沟槽之间的半导体衬底区域为有源区；形成填充所述沟槽的隔离层并去除所述遮蔽层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种沟槽隔离结构及其制备方法
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