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申请/专利权人：浙江康鹏半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种砷化镓单晶生长装置及制备方法，包括炉体和用于容纳原料的原料容纳装置，炉体设置在升降驱动装置上，炉体内设有加热腔，加热腔的下端敞口，炉体的内壁上设有加热部件，加热腔中设有若干个沿竖直方向排列的冷却介质环，冷却介质环内设有冷却介质腔，冷却介质环上连接有与冷却介质腔连通的冷却介质通入管和冷却介质排出管。本发明中，只需要控制各个冷却介质环中的冷却介质的流速，从而可以对加热腔中不同位置区域的温度进行调整，从而可以在加热腔中形成所需的温度梯度，从而保证砷化镓单晶的结晶质量，降低砷化镓单晶的缺陷。
主权项：1.砷化镓单晶生长装置，其特征在于，包括炉体和用于容纳原料的原料容纳装置，炉体设置在升降驱动装置上，炉体内设有加热腔，加热腔的下端敞口，炉体的内壁上设有加热部件，加热腔中设有若干个沿竖直方向排列的冷却介质环，冷却介质环内设有冷却介质腔，冷却介质环上连接有与冷却介质腔连通的冷却介质通入管和冷却介质排出管；向冷却介质环中通入冷却介质时，冷却介质与冷却介质环周围区域发生热交换以调节冷却介质环周围区域的温度；冷却介质环可沿着竖直方向进行位置调节；冷却介质通入管和冷却介质排出管均从炉体的上端穿过；所述炉体的上端设有可使冷却介质通入管或冷却介质排出管穿过的通孔，通孔的外围设有安装槽，安装槽中设有夹紧件；夹紧件包括固定环、若干个热弯片，固定环固定设置在安装槽中，热弯片的一端与固定环相连，热弯片的另一端设有接触部件；热弯片呈圆形阵列布置，热弯片由第一金属层和第二金属层组成，第一金属层位于第二金属层的外侧，第一金属层的热膨胀系数大于第二金属层的热膨胀系数；冷却介质通入管或冷却介质排出管从夹紧件上的热弯片之间穿过；当热弯片的温度上升时，热弯片上设有接触部件的一端朝冷却介质通入管或冷却介质排出管的中心方向弯曲。
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权利要求：
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