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申请/专利权人：安建科技(深圳)有限公司
摘要：一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件，本实用新型涉及功率半导体器件，为了在不增加器件的沟道电阻和工艺复杂度的条件下实现对沟槽栅氧化层的保护，在第二导电型重掺杂深阱区左右侧壁分别设有深度浅于所述的第二导电型重掺杂深阱区的第一沟槽栅和第二沟槽栅，其中第一沟槽栅和第二沟槽栅顶部分别设有层间介质层，层间介质层分别向外侧延伸覆盖部分第一导电型重掺杂源极区，第一沟槽栅和第二沟槽栅包括栅介质层和填充在栅介质层内的导电介质层，本发明可以通过控制第一沟槽栅和第二沟槽栅之间的间距减小元胞等效的周期长度，从而提高沟道密度，降低沟道电阻。
主权项：1.一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件，所述的MOSFET器件包括有位于底部的漏极电极和位于顶部的源极电极，所述的漏极电极上设有第一导电型重掺杂碳化硅衬底，所述的第一导电型重掺杂碳化硅衬底上设有第一导电型轻掺杂外延层，所述的第一导电型轻掺杂外延层上表面设有一个以上的周期性排列的并和所述的源极电极相连的第二导电型重掺杂深阱区、位于第二导电型重掺杂深阱区之间的第二导电型阱区、位于第二导电型阱区上方的第一导电型重掺杂源极区和第二导电型重掺杂接触区，其特征在于，所述的第二导电型重掺杂深阱区左右侧壁分别设有深度浅于所述的第二导电型重掺杂深阱区的第一沟槽栅和第二沟槽栅，所述的第一沟槽栅和第二沟槽栅顶部分别设有层间介质层，所述的层间介质层分别向外侧延伸覆盖部分第一导电型重掺杂源极区，所述的第一沟槽栅和第二沟槽栅包括栅介质层和填充在栅介质层内的导电介质层。
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