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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种屏蔽栅沟槽器件的制造方法，包括提供衬底，在衬底中形成沟槽，在沟槽的侧壁和底部形成ONO层，淀积多晶硅并回刻至衬底表面；淀积氮化硅层；光刻去除有源区表面的氮化硅层；刻蚀去除有源区多晶硅至衬底表面以下；在有源区多晶硅上方氧化形成氧化层；刻蚀去除ONO层的外层氧化层；刻蚀去除ONO层的中间层氮化层和氮化硅层；刻蚀去除ONO层的内层氧化层；生长栅氧化层，并淀积多晶硅；将多晶硅回刻至衬底表面；淀积层间膜并刻蚀形成接触孔。本发明在刻蚀去除沟槽内的有源区多晶硅之前，淀积一层氮化层，使终端区多晶硅在后续氧化过程中不被氧化而形成两边凹陷的结构，解决了由于凹陷存在，栅多晶硅刻蚀后，凹坑上方形成残留，产生漏电的问题。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，在所述衬底中形成沟槽，在所述沟槽的侧壁和底部形成ONO层，淀积多晶硅并回刻至所述衬底表面；步骤二、在所述衬底上方淀积一层氮化硅层；步骤三、光刻去除有源区表面的所述氮化硅层，保留终端区的所述氮化硅层；步骤四、刻蚀去除有源区多晶硅至所述衬底表面以下；步骤五、在所述有源区多晶硅上方氧化形成氧化层；步骤六、刻蚀去除所述ONO层的外层氧化层；步骤七、刻蚀去除所述ONO层的中间层氮化层和所述终端区的所述氮化硅层；步骤八、刻蚀去除所述ONO层的内层氧化层；步骤九、生长栅氧化层，并淀积多晶硅；步骤十、将所述多晶硅回刻至所述衬底表面；步骤十一、淀积层间膜并刻蚀形成接触孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种屏蔽栅沟槽器件的制造方法
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