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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本申请提供一种超级闪存浮栅的制作方法，包括：步骤一，提供一衬底，在其上形成层间介质层；步骤二，在层间介质层和衬底中形成多个沟槽后，依次沉积第一栅介质层、第一阻挡层、钨金属层、第二阻挡层和第二栅介质层；步骤三，去除覆盖非有源区区域的第二栅介质层、第二阻挡层、钨金属层和第一阻挡层；步骤四，沉积第三栅介质层；步骤五，去除覆盖有源区的位于沟槽外和沟槽底部区域的第三栅介质层和第二栅介质层；步骤六，去除覆盖有源区的位于沟槽外和沟槽底部区域的第二阻挡层、钨金属层、第一阻挡层和第一栅介质层。引入高温热稳定性强和低电阻率的钨金属，形成三明治结构的浮栅阻挡层钨金属阻挡层，有效解决传统浮栅材料不连续的问题。
主权项：1.一种超级闪存浮栅的制作方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底上形成层间介质层；步骤二，在所述层间介质层和衬底中形成多个沟槽后，依次沉积第一栅介质层、第一阻挡层、钨金属层、第二阻挡层和第二栅介质层；步骤三，去除覆盖非有源区区域的所述第二栅介质层、第二阻挡层、钨金属层和第一阻挡层；步骤四，沉积第三栅介质层；步骤五，去除覆盖有源区的位于所述沟槽外以及所述沟槽底部区域的所述第三栅介质层和第二栅介质层；步骤六，去除覆盖有源区的位于所述沟槽外以及所述沟槽底部区域的所述第二阻挡层、钨金属层、第一阻挡层和第一栅介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种超级闪存浮栅的制作方法
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