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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明涉及一种表征FinFET的自加热效应的结构，涉及半导体集成电路结构，包括多条鳍，多条鳍同方向排列；两条加热多晶硅和一条检测多晶硅，两条加热多晶硅和一条检测多晶硅同方向排列，两条加热多晶硅与多条鳍交叉，一条检测多晶硅与多条鳍中的其中一条鳍交叉，并一条检测多晶硅位于两条加热多晶硅之间，因检测多晶硅仅与一条鳍交叉而形成1‑Fin晶体管，因此FinFET的自加热效应不会受其它鳍的影响，而能更加准确的表征FinFET的自加热效应，且不易受FinFET制造工艺的影响，尤其是边缘区域的鳍的影响。
主权项：1.一种表征FinFET的自加热效应的结构，其特征在于，包括：多条鳍，多条鳍同方向排列；两条加热多晶硅和一条检测多晶硅，两条加热多晶硅和一条检测多晶硅同方向排列，两条加热多晶硅与多条鳍交叉，一条检测多晶硅只与多条鳍中的其中一条鳍交叉，并一条检测多晶硅位于两条加热多晶硅之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种表征FinFET的自加热效应的结构及应用其的方法
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