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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明提供一种气相沉积设备及其晶圆温度调节方法，涉及半导体设备技术领域。气相沉积设备包含托盘、腔室顶盖和导流板，导流板设置在托盘和腔室顶盖之间并与托盘相对，导流板与托盘之间形成反应区域，导流板与腔室顶盖之间形成调温区域；控制单元基于晶圆的径向温度分布结果调节向调温区域内注入的传热气体的热导率；晶圆包括中心区域和环绕中心区域的边缘区域，导流板包括与中心区域位置对应的环形中间区域；调节传热气体的热导率前后，环形中间区域的温度变化幅度大于导流板其他区域的温度变化幅度。本发明能够有效提高晶圆表面温度的一致性，保证晶圆表面生长的薄膜的物理、化学性质满足工艺要求，大大提高了晶圆加工的良率。
主权项：1.一种气相沉积设备，包含一反应腔，所述反应腔内设有用于承载多个晶圆的托盘，多个所述晶圆至少沿所述托盘的周向排布，其特征在于，所述气相沉积设备包含：腔室顶盖，其设置在所述反应腔的顶部；导流板，其设置在所述托盘和腔室顶盖之间并与所述托盘相对；所述导流板与所述托盘之间形成反应区域；所述导流板与所述腔室顶盖之间形成调温区域；所述导流板的外边缘与所述气相沉积设备的侧壁之间具有间隙；测温装置，用于获取晶圆的径向温度分布；进气装置，其穿设所述腔室顶盖的中心，用于横向地向所述调温区域内注入传热气体；所述进气装置注入的传热气体沿所述导流板的径向方向水平向外流动，并自所述间隙流入所述反应腔内；控制单元，其基于所述测温装置获取的径向温度分布结果调节向所述调温区域内注入的传热气体的热导率，从而提高晶圆表面温度的一致性；所述晶圆包括中心区域和环绕所述中心区域的边缘区域；所述导流板包括与所述中心区域位置对应的环形中间区域；调节所述传热气体的热导率前后，所述环形中间区域的温度变化幅度大于导流板其他区域的温度变化幅度。
全文数据：
权利要求：
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