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申请/专利权人：莫纳什大学
摘要：本文公开了一种结构，该结构包括：顶部栅极电极和底部栅极电极；沟道层，其由具有能够通过电场调制的带隙的沟道材料形成，该沟道层与该顶部栅极电极和该底部栅极电极电绝缘，并且与该负电容材料中的至少一层相邻地定位。
主权项：1.一种结构，包括：顶部栅极电极和底部栅极电极；沟道层，其由具有能够通过电场调制的带隙的沟道材料形成，所述沟道层与所述顶部栅极电极和所述底部栅极电极电绝缘，并且与负电容材料中的至少一层相邻地定位。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 莫纳什大学 负电容拓扑量子场效应晶体管
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