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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种场效应晶体管及其制造方法。该等场效应晶体管包括处于沟道层中的有源区对、位于该对有源区之间的沟道区以及位于该对有源区的表面上的自对准钝化层。
主权项：1.一种场效应晶体管，包括：有源区对，在沟道层上方；沟道区，形成在所述沟道层中并位于所述有源区对之间；接触通孔结构对，电连接至所述有源区对，其中，所述有源区对与所述接触通孔结构自对准；层间介电层，位于所述沟道层上方；以及自对准钝化保护层，设置在接触通孔结构的侧壁上并且位于所述接触通孔结构的侧壁和所述层间介电层之间，所述自对准钝化保护层还设置在所述层间介电层的顶表面上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 场效应晶体管及其制造方法
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