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申请/专利权人：TDK株式会社
摘要：本发明目的在于，提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器，具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制信息的读入，在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，在第二铁磁性金属层的每一层接合一个；多个第二控制元件，其控制流经自旋轨道转矩配线的电流，在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个；第三控制元件，其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点，控制信息的写入。
主权项：1.一种磁存储器，其具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；多个自旋轨道转矩配线，其分别连接于所述多个磁阻效应元件；多个第一控制元件，其分别连接于所述多个磁阻效应元件；多个第二控制元件，其分别连接于作为所述多个自旋轨道转矩配线各自的一端的第一连接点；及第三控制元件，其连接于作为所述多个自旋轨道转矩配线各自的另一端的第二连接点，所述多个自旋轨道转矩配线分别与所述多个磁阻效应元件的所述第二铁磁性金属层接合，所述第一控制元件小于所述第二控制元件。
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