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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：集成电路器件包括在衬底上的栅极堆叠、在栅极堆叠的第一侧壁和第二侧壁上的间隔物、在栅极堆叠的第一侧和第二侧在衬底的上部部分中的源极漏极区、在源极漏极区上的覆盖半导体层、在覆盖半导体层上并围绕栅极堆叠的侧壁的层间绝缘膜、以及在穿透层间绝缘膜和覆盖半导体层的接触孔中的接触，接触具有接触覆盖半导体层和源极漏极区的底部部分。
主权项：1.一种集成电路器件，包括：在衬底上的栅极堆叠；间隔物，在所述栅极堆叠的第一侧壁和第二侧壁上；源极漏极区，在所述栅极堆叠的第一侧和第二侧在所述衬底的上部部分中；在所述源极漏极区上的覆盖半导体层；层间绝缘膜，在所述覆盖半导体层上并且围绕所述栅极堆叠的侧壁；以及在接触孔中的接触，所述接触孔穿透所述层间绝缘膜和所述覆盖半导体层，所述接触具有接触所述覆盖半导体层和所述源极漏极区的底部部分。
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