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申请/专利权人：硅存储技术股份有限公司

摘要：本发明公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元形成在半导体衬底上，该半导体衬底具有上表面，该上表面具有向上延伸的鳍片，该向上延伸的鳍片具有相对的第一侧表面和第二侧表面。第一电极和第二电极与该鳍片的第一部分和第二部分电气接触。该鳍片的沟道区包括在该鳍片的该第一部分和该第二部分之间延伸的该第一侧表面和该第二侧表面的部分。浮动栅极沿着该沟道区的该第一部分的该第一侧表面延伸，其中该浮动栅极中没有一个部分沿着该第二侧表面延伸。字线栅极沿着该沟道区的第二部分的该第一侧表面和该第二侧表面延伸。控制栅极设置在该浮动栅极上方。擦除栅极具有第一部分和第二部分，该第一部分与该浮动栅极横向相邻设置，该第二部分竖直地设置在该浮动栅极上方。

主权项：1.一种非易失性存储器单元，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面，所述上表面具有向上延伸的鳍片和向上延伸的第二鳍片，所述向上延伸的鳍片包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，所述向上延伸的第二鳍片包括彼此相对的第三侧表面和第四侧表面；第一电极，所述第一电极与所述鳍片的第一部分电气接触；第二电极，所述第二电极与所述鳍片的第二部分电气接触，其中所述鳍片的所述第一部分和所述第二部分彼此间隔开，使得所述鳍片的沟道区包括所述第一侧表面和所述第二侧表面的部分，并且在所述鳍片的所述第一部分和所述第二部分之间延伸；浮动栅极，所述浮动栅极沿着所述沟道区的第一部分延伸，其中所述浮动栅极沿着所述第一侧表面延伸并且与其绝缘，其中所述浮动栅极中没有一个部分沿着所述第二侧表面延伸，并且其中所述浮动栅极的至少一部分被设置在所述鳍片与所述第二鳍片之间并且沿着所述第三侧表面延伸且与所述第三侧表面绝缘，其中所述浮动栅极中没有一个部分沿着所述第四侧表面延伸，并且其中没有导电栅极沿着与所述浮动栅极沿其延伸的所述第一侧表面的一部分相对的所述第二侧表面的一部分设置并且与其绝缘，并且没有导电栅极沿着与所述浮动栅极沿其延伸的所述第三侧表面的一部分相对的所述第四侧表面的一部分设置并且与其绝缘；字线栅极，所述字线栅极沿着所述沟道区的第二部分延伸，其中所述字线栅极沿着所述第一侧表面和所述第二侧表面延伸并且与所述第一侧表面和所述第二侧表面绝缘；控制栅极，所述控制栅极设置在所述浮动栅极上方并且与其绝缘；擦除栅极，所述擦除栅极具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述浮动栅极横向相邻设置并且与其绝缘，所述第二部分竖直地设置在所述浮动栅极上方并且与其绝缘。

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百度查询： 硅存储技术股份有限公司 基于双晶体管鳍式场效晶体管的分裂栅极非易失性浮动栅极闪存存储器及其制造方法