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申请/专利权人：芯盟科技有限公司
摘要：本公开提供一种晶体管阵列及其制造方法、半导体器件及其制造方法，晶体管阵列制造方法包括：提供晶圆；在晶圆中形成多条沿第一方向延伸的绝缘条；绝缘条将部分晶圆划分为多条沿第一方向延伸的晶体管条；从晶圆的第一表面，对晶体管条进行刻蚀，形成呈阵列排布的多个晶体管柱；每一晶体管柱具有与绝缘条贴覆的侧壁和暴露的侧壁；在每一晶体管柱暴露的侧壁，形成半包围晶体管柱的栅极层；在每一晶体管柱的第一端，形成晶体管的源极；在每一晶体管柱的第二端，形成晶体管的漏极；其中，第一端和所述第二端分别为晶体管柱在第二方向上相对的两端，源极与所述漏极之间的晶体管柱构成晶体管的沟道区。
主权项：1.一种晶体管阵列的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆中形成多条沿第一方向延伸的绝缘条；所述绝缘条将部分所述晶圆划分为多条沿所述第一方向延伸的晶体管条；所述第一方向与所述晶圆的表面平行；从所述晶圆的第一表面，对所述晶体管条进行刻蚀，形成呈阵列排布的多个晶体管柱；每一晶体管柱具有与所述绝缘条贴覆的侧壁和暴露的侧壁；在每一所述晶体管柱暴露的侧壁，形成半包围所述晶体管柱的栅极层；从所述晶圆的第一表面且沿第二方向，对每一所述晶体管柱靠近所述晶圆的第一表面的第一端进行离子注入，在每一所述晶体管柱的第一端，形成所述晶体管的源极；从所述晶圆的第二表面且沿所述第二方向，对所述晶圆进行减薄处理，以暴露出所述晶体管柱远离所述晶圆的第一表面的第二端；对每一所述晶体管柱的第二端进行离子注入，在每一所述晶体管柱的第二端，形成所述晶体管的漏极；其中，所述第一端和所述第二端分别为所述晶体管柱在所述第二方向上相对的两端，所述源极与所述漏极之间的晶体管柱构成所述晶体管的沟道区；所述第二方向与所述晶圆的表面垂直。
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百度查询： 芯盟科技有限公司 晶体管阵列及其制造方法、半导体器件及其制造方法
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