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申请/专利权人：株式会社电装
摘要：超声传感器1包括：元件存储壳体4，其包括至少一个壳体侧膜片43a，该壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴DA的振动板；和至少一个超声元件50，其容纳在元件存储壳体中并与壳体侧膜片间隔开。超声元件包括元件侧膜片54，该元件侧膜片54是具有沿方向轴的厚度方向的振动膜，并且由厚度方向沿着方向轴的半导体基板51的薄部提供。半导体基板设置为在壳体侧膜片与元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间SC作为共振空间。半导体基板由元件存储壳体固定和支撑。
主权项：1.一种超声传感器，包括：元件存储壳体，其包括至少一个壳体侧膜片，所述壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴的振动板；和至少一个超声元件，其容纳在所述元件存储壳体中并与所述壳体侧膜片隔开，其中：所述超声元件包括元件侧膜片，所述元件侧膜片是厚度方向沿着所述方向轴的振动膜，并由厚度方向沿着所述方向轴的半导体基板的薄部提供；所述半导体基板被设置为在所述壳体侧膜片与所述元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间作为共振空间；以及所述半导体基板由所述元件存储壳体固定和支撑，其中：所述超声元件的共振频率定义为第一共振频率；所述封闭空间的共振频率定义为第二共振频率；所述壳体侧膜片的共振频率定义为第三共振频率；以及所述第一至第三共振频率彼此相等，其中：将所述第一共振频率与所述第二共振频率之差、所述第二共振频率与所述第三共振频率之差以及所述第一共振频率与所述第三共振频率之差中的最大差定义为Δfr；将所述超声元件的共振带、所述封闭空间的共振带和所述壳体侧膜片的共振带中的最宽共振带的带宽定义为BW；以及满足等式Δfr≤BW。
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