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申请/专利权人:上海华虹集成电路有限责任公司
摘要:本发明公开了一种Flash内存加速方法,其基于ART,包括:步骤1,使用总线地址的高位进行路预测,根据路预测的判断结果访问相应的存储区;所述存储区包括ART缓冲区Buf、ART预取缓冲区Prebuf、ART缓存Cache和闪存;步骤2,根据CPU指令地址取指方式决定读取对象及对应的读出写入更新操作;步骤3,根据LRU算法淘汰缓存指令。本发明能在高频系统中提升内核工作效率,可直接从缓冲中取指,避免了访问存器的等待时间,降低了指令缺失访存的代价。
主权项:1.一种Flash内存加速方法,其基于ART,其特征在于,包括:步骤1,使用总线地址的高位进行路预测,根据路预测的判断结果访问相应的存储区;所述存储区包括ART缓冲区Buf、ART预取缓冲区Prebuf、ART缓存Cache和闪存;步骤2,根据CPU指令地址取指方式决定读取对象及对应的读出写入更新操作;步骤3,根据LRU算法淘汰缓存指令。
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百度查询: 上海华虹集成电路有限责任公司 Flash内存加速方法及加速器
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