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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容的制造方法及MIM电容。所述方法包括：在第一温度环境下在硅基底上沉积下极板，在第二温度环境下进行真空退火处理；在下极板的表面形成电介质层；在电介质层的表面沉积上极板，在第三温度的氮气氛围中进行退火处理；在上极板的表面沉积第一抗反射层，并进行刻蚀，定义出上极板的图形；在刻蚀后的第一抗反射层、上极板及电介质层的表面沉积一层高介电常数的耐压材料形成耐压层，以填充刻蚀过程中因负载效应导致电介质层产生的凹陷；在耐压层的表面沉积第二抗反射层，并进行刻蚀，定义出下极板的图形。本发明提高了MIM电容的TDDB寿命。
主权项：1.一种MIM电容的制造方法，其特征在于，包括：在第一温度环境下在硅基底上沉积下极板，在第二温度环境下进行真空退火处理，包括：在低于80℃的温度环境下在硅基底表面依次沉积TiN、Al、TiN，形成TiNAlTiN的三明治结构，作为下极板；或者，在低于80℃的温度环境下在硅基底表面依次沉积TaN、Al、TaN，形成TaNAlTaN的三明治结构，作为下极板；在350~450℃的温度环境下对下极板进行真空退火处理；在下极板的表面形成电介质层；在电介质层的表面沉积上极板，在第三温度的氮气氛围中进行退火处理；在上极板的表面沉积第一抗反射层，对第一抗反射层和上极板进行刻蚀，以定义出上极板的图形；在刻蚀后的第一抗反射层、上极板及电介质层的表面沉积一层高介电常数的耐压材料形成耐压层，以填充刻蚀过程中因负载效应导致电介质层产生的凹陷；在耐压层的表面沉积第二抗反射层，并进行刻蚀，以定义出下极板的图形。
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权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 国家电网有限公司 MIM电容的制造方法及MIM电容
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