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申请/专利权人：成都氮矽科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种增强型GaNHEMT器件，涉及GaNHEMT器件技术领域，目的是使得器件更易制作同时具备更好的性能，包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、p‑GaN层、钝化层、源极、漏极、栅极、场板介质层、源极场板层；衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层自下而上依次重叠设置；源极和漏极分别设置在势垒层的顶部的左右两侧；源极和漏极之间设置钝化层，钝化层上设置有开孔，开孔处设置p‑GaN层；p‑GaN层的上方设置栅极，场板介质层包裹住源极、漏极、钝化层和栅极；场板介质层位于源极出开有接触孔，源极场板层设置在接触孔处。本实用新型具有制作成本更低、有效避免器件的导通电阻的增加的优点。
主权项：1.一种增强型GaNHEMT器件，其特征在于:包括衬底101、成核层102、缓冲层103、沟道层104、势垒层105、p-GaN层106、钝化层107、源极108、漏极109、栅极110、场板介质层111、源极场板层112；衬底101、成核层102、缓冲层103、沟道层104、势垒层105自下而上依次重叠设置；所述源极108和所述漏极109分别设置在所述势垒层105的顶部的左右两侧；所述源极108和所述漏极109之间设置钝化层107，所述钝化层107上设置有开孔，开孔处设置p-GaN层106；所述p-GaN层106的上方设置栅极110，所述场板介质层111包裹住所述源极108、所述漏极109、所述钝化层107和所述栅极110；所述场板介质层111位于所述源极108出开有接触孔，所述源极场板层112设置在所述接触孔处。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都氮矽科技有限公司 一种增强型GaN HEMT器件
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