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一种高耐压平面型VDMOS的结构 

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申请/专利权人:杭州华芯微科技有限公司

摘要:本实用新型公开了一种高耐压平面型VDMOS的结构,包括漏极电极、第一N型区、JFET区、轻N型掺杂区、P型掺杂区、P‑body区、第二重N型区、栅极电极和源极电极,所述漏漏极电极设置在第一N型区的底端。本实用新型的制作工艺将P‑body区与终端同时光刻注入,在工艺上减少了步骤,在一定程度上,也节约了成本,降低了工艺周期,并且通过在JFET区中设置有两组P型掺杂区和一组轻N型掺杂区,两组P型掺杂区的面积与轻N型掺杂区的面积相同,且两组P型掺杂区分别位于轻N型掺杂区的两侧,使得在JFET区内拥有相同电荷量的P型掺杂区和轻N型掺杂区,两者可相互完全耗尽,得到几乎均匀的电场分布,从而承担高耐压的作用,满足了人们的使用需求。

主权项:1.一种高耐压平面型VDMOS的结构,其特征在于,包括漏极电极1、第一N型区2、JFET区3、轻N型掺杂区4、P型掺杂区5、P-body区6、第二重N型区7、栅极电极8和源极电极9,所述漏极电极1设置在第一N型区2的底端,所述第一N型区2远离漏极电极1的一侧连接有JFET区3,所述JFET区3的顶端两侧均设置有P-body区6,所述P-body区6的内部设置有第二重N型区7,两侧所述P-body区6的顶端设置有栅极电极8,且所述栅极电极8的顶端设置有源极电极9。

全文数据:

权利要求:

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