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申请/专利权人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要:本发明提供一种提高栅极可靠性的碳化硅VDMOS的制备方法,包括:在碳化硅衬底下侧面淀积金属,形成漏极金属层;在碳化硅衬底外延生长,分别形成漂移层、均流层以及阱区;在阱区上方形成阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,向阱区进行离子注入,分别形成P源区以及N型源区;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层,形成通孔,进行金属淀积,形成源极金属层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层、阱区以及均流层,形成通孔以及凹槽,之后形成复合栅介质层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及复合栅介质层,形成通孔以及沟槽,对沟槽进行金属淀积,形成栅极金属层;采用复合栅极介质,能有效承受栅极电压,提高栅极可靠性。
主权项:1.一种提高栅极可靠性的碳化硅VDMOS的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属,形成漏极金属层;在碳化硅衬底外延生长,形成漂移层;步骤2、在漂移层上部外延生长,形成均流层;步骤3、在均流层上方生长,形成阱区;步骤4、在阱区上方形成阻挡层,刻蚀阻挡层形成通孔,向阱区进行离子注入,形成P源区;步骤5、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层,形成通孔,对阱区进行离子注入,形成N型源区;步骤6、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层,形成通孔,进行金属淀积,形成源极金属层;步骤7、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层、阱区以及均流层,形成通孔以及凹槽,之后形成复合栅介质层;步骤8、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及复合栅介质层,形成通孔以及沟槽,对沟槽进行金属淀积,形成栅极金属层;去除阻挡层,完成制备。
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