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一种内部均流的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法 

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申请/专利权人:泰科天润半导体科技(北京)有限公司

摘要:本发明提供了一种内部均流的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法,包括:在碳化硅衬底下侧面淀积金属,形成漏极金属层,在碳化硅衬底上侧面外延生长,形成漂移层;在漂移层上方形成阻挡层,刻蚀、离子注入,形成缓冲区、阱区、N型源区以及P型源区;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层,形成通孔,进行金属淀积,形成源极金属层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层、漂移层以及阱区,形成通孔以及凹槽,之后进行淀积,形成栅介质层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及栅介质层,形成通孔以及沟槽,对沟槽进行金属淀积,形成栅极金属层,去除阻挡层,完成制备,使得整体导通电阻更低,热分布更加均匀。

主权项:1.一种内部均流的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属,形成漏极金属层,在碳化硅衬底上侧面外延生长,形成漂移层;步骤2、在漂移层上方形成阻挡层,刻蚀阻挡层,形成通孔,对漂移层进行离子注入,形成缓冲区;步骤3、去除原阻挡层,对漂移层进行离子注入,形成阱区;步骤4、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层,形成通孔,对阱区进行离子注入,形成N型源区;步骤5、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层,形成通孔,对阱区进行离子注入,形成P型源区;步骤6、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层,形成通孔,进行金属淀积,形成源极金属层;步骤7、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层、漂移层以及阱区,形成通孔以及凹槽,之后进行淀积,形成栅介质层;步骤8、去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及栅介质层,形成通孔以及沟槽,对沟槽进行金属淀积,形成栅极金属层,去除阻挡层,完成制备。

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