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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种非对称碳化硅沟槽栅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面淀积生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀、离子注入，形成第二阱区、第一阱区、第二P型源区、第二N型源区、第一P型源区以及第一N型源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔进行金属淀积，形成源极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及漂移层，刻蚀后进行干氧氧化，形成栅介质层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及栅介质层，形成沟槽，淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备，实现高可靠栅极和低续流损耗兼具的器件。
主权项：1.一种非对称碳化硅沟槽栅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面淀积生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成第二阱区；步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对漂移层进行离子注入，形成第一阱区；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成阻挡层，形成通孔，对第二阱区进行离子注入，形成第二P型源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，对第二阱区进行离子注入，形成第二N型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成阻挡层，形成通孔，对第一阱区进行离子注入，形成第一P型源区；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成阻挡层，形成通孔，对第一阱区进行离子注入，形成第一N型源区；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔进行金属淀积，形成源极金属层；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及漂移层，刻蚀后进行干氧氧化，形成栅介质层；步骤10、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及栅介质层，形成沟槽，淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备。
全文数据：
权利要求：
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