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一种用于PVT炉合成碳化硅粉新热场的吸氮处理方法 

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申请/专利权人:宁波合盛新材料有限公司

摘要:本申请公开了一种用于PVT炉合成碳化硅粉新热场的吸氮处理方法,处理方法包括以下步骤,预处理步骤:将吸附剂进行高温除碳,得到预处理后的吸附剂;新热场吸氮步骤:将预处理后的吸附剂置于新热场的坩埚内,升温加压并维持一段时间,冷却后取出吸附剂;合成步骤:将硅粉和石墨粉混合均匀,置于新热场的坩埚内进行碳化硅粉体的合成反应,得到块状碳化硅,将碳化硅破碎、研磨、筛分、除碳、清洗和烘干,得到碳化硅粉体,可用于碳化硅单晶生长。本申请选用的吸附剂为碳化硅,节约经济成本,且除氮效果好。

主权项:1.一种用于PVT炉合成碳化硅粉新热场的吸氮处理方法,其特征在于,包括以下步骤,预处理步骤:将吸附剂进行高温除碳,得到白色的或浅绿色预处理后的吸附剂;新热场空烧步骤:将坩埚置于新热场中,将新热场和坩埚升温加压维持一段时间,最后将坩埚和新热场冷却;所述新热场空烧步骤的升温加压包括两个阶段,第一阶段升温至1000~1200℃,第一阶段压力设置为5*10-5mbar以下,维持时间为2~5h;第二阶段将温度升高至2000~2200℃,压力维持在5*10-3mbar以下,维持时间为20~40h;新热场吸氮步骤:将预处理后的所述吸附剂置于新热场的坩埚内,升温加压并维持一段时间,冷却后取出所述吸附剂,观察所述吸附剂的颜色,若所述吸附剂呈现深绿色,多次重复所述预处理步骤和所述新热场吸氮步骤,直至所述吸附剂颜色呈现浅绿色;所述新热场吸氮步骤温度设置为2000~2200℃,压力设置在100~500mbar,保温时间为20~40h;合成步骤:将硅粉和石墨粉混合均匀,置于新热场的坩埚内进行碳化硅粉体的合成反应,得到块状碳化硅,将所述碳化硅破碎、研磨、筛分、除碳、清洗和烘干,得到所述碳化硅粉体,可用于碳化硅单晶生长;所述吸附剂为碳化硅。

全文数据:

权利要求:

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