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申请/专利权人：中创智科(绵阳)科技有限公司
摘要：本发明公开了一种X射线探测器叠层结构、形成方法以及X射线探测器，结构包括综合层和传感器层，所述传感器层在第一综合层上蚀刻而成，所述第一综合层采用刚性的受激发光材料，第一综合层同时起到衬底基板和闪烁体层的作用，利用该结构形成X射线探测器，该探测器其相较于传统的探测器厚度减小，提高空间利用率，提高光利用率，光扩散距离变短，有利于削弱各个像素点之间的光扩散影响，可以提高发光效率从而提高探测器的分辨率，本发明减少了衬底基板结构，使得综合层同时起到原来的衬底基板和闪烁体层作用，简化结构以及制造工艺。
主权项：1.一种X射线探测器叠层结构形成方法，其特征在于，其步骤包括：1）在第一综合层上溅射栅极材料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后形成栅极布线图案；2）用等离子体增强化学气相沉积法进行连续成膜，形成SiNX膜、非掺杂的非晶硅膜、掺磷的高浓度掺杂N型非晶硅膜，然后再进行掩膜曝光及干法蚀刻形成TFT部分的非晶硅图案；3）用溅射成膜法形成透明电极，再经掩膜曝光及湿法蚀刻形成显示电极图案；4）使用掩膜曝光及干法蚀刻法形成栅极端部绝缘膜的接触孔图案；5）将AL进行溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻形成TFT的源极、漏极以及信号线图案，用等离子体增强化学气相沉积法形成保护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻进行绝缘膜的蚀刻成形，该保护绝缘膜用于对栅极以及信号线电极端部和显示电极的保护；6）同理，重复步骤1）-5）形成光电二极管层，每个光电二极管的阳极按照列的方式连接在一起并引出，每个光电二极管阴极与对应像素单元中的TFT的源极连接，探测器中每个TFT的漏极按照列的方式连接在一起并引出，光电二极管层与TFT层合称为传感器层；上述方法形成的X射线探测器叠层结构包括综合层和传感器层，所述传感器层在第一综合层上蚀刻而成，所述第一综合层采用刚性的受激发光材料，第一综合层同时起到衬底基板和闪烁体层的作用。
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